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1、魏少军:美国管制对中国半导体装备与材料领域影响最大

2、邓中翰:IC设计需重视面向垂直应用领域的布局与国家标准

3、方正证券陈杭:我国厂商有望借GaN和SiC实现直线超车

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1、魏少军:美国管制对中国半导体装备与材料领域影响最大集微网消息,中国(上海)集成电路创新峰会于12月17日-18日在上海科学会堂举行。清华大学教授、中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军首先指出,经过60多年的发展,集成电路技术又一次站在岔路口上,围绕新器件、新材料、新工艺,微纳系统集成以及芯片架构这三个领域的创新,将成为集成电路跨过5nm需要克服的关键技术。其中,器件结构的选择将决定未来竞争的制高点,架构创新将引领计算领域的变革,而异质器件系统集成将开辟摩尔定律延续的新路径。魏少军尤其指出,如果能够在新型材料上实现突破,距离摩尔定律终结就还有一段路。但需要注意的是,受美国近阶段的管制影响,国内半导体行业以装备、材料影响较大。同时,日本针对三种半导体材料对韩国实施制裁给予国内产业以警醒——在装备材料领域,我国发展相对较慢。尽管中国在集成电路领域进步很快,但就目前来讲,核心技术受制于人,产品处于中低端的情况还没有彻底改变。基础研究和人才培养没有跟上产业发展是其中重要的原因,总而言之,中国还有一段路要走。2、邓中翰:IC设计需重视面向垂直应用领域的布局与国家标准集微网消息,12月17-18日,以“自立自强,在危机中育新机”为主题的中国(上海)集成电路创新峰会在上海科学会堂举行。中国工程院院士、中星微电子集团创始人兼首席科学家邓中翰在院士圆桌会议上指出,中美科技竞争已然成为业界


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